小蜜蜂家族 - 参照设计 - 科技 - 广东高云半导体科技股份有限公司

特性

低功耗、低成本、瞬时启动、高安全性的非易失性可编辑逻辑器件。

高云半导体GW1N系列产品是高云半导体小蜜蜂^®(LittleBee^®)家族第一代产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1N 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体小蜜蜂^®(LittleBee^®)家族第一代产品，具有较丰富的逻辑资源，支持多种 I/O 电平标准，内嵌块状静态随机存储器、数字信号处理模块、锁相环资源，此外，内嵌 Flash 资源，是一款具有非易失性的 FPGA 产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、高安全性、产品尺寸小、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1NR系列产品是一款系统级封装芯片，在 GW1N 基础上集成了丰富容量的 SDRAM 存储芯片，同时具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1NS系列包括SoC产品（封装前带“C”的器件）和非SoC产品（封装前不带“C”的器件）。SoC产品内嵌 ARM Cortex-M3硬核处理器，而非SoC产品内部没有ARM Cortex-M3 硬核处理器。此外， GW1NS系列产品内嵌用户闪存。以 ARM Cortex-M3 硬核处理器为核心，具备了实现系统功能所需要的最小内存；内嵌的逻辑模块单元方便灵活，可实现多种外设控制功能，能提供出色的计算功能和异常系统响应中断，具有高性能、低功耗、管脚数量少、使用灵活、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富等特点。GW1NS 系列 SoC产品实现了可编程逻辑器件和嵌入式处理器的无缝连接，兼容多种外围器件标准，可大幅降低用户成本，可广泛应用于工业控制、通信、物联网、伺服驱动、消费等多个领域。

高云半导体 GW1NZ系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

高云半导体 GW1NZ 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

高云半导体GW1NSR系列产品是高云半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代可编辑逻辑器件产品，是一款系统级封装芯片，内部集成了GW1NS系列可编辑逻辑器件产品和PSRAM存储芯片。包括GW1NSR-2C器件和GW1NSR-2器件，GW1NSR-2C器件内嵌ARMCortex-M3硬核处理器。此外，GW1NSR系列产品内嵌USB2.0PHY、用户闪存以及ADC转换器。

GW1NSE安全芯片产品提供嵌入式安全元件，支持基于PUF技术的信任根。每个设备在出厂时都配有一个永远不会暴露在设备外部的唯一密钥。高安全性特性使得GW1NSE适用于各种消费和工业物联网，边缘和服务器管理应用。

GW1NSER 系列安全芯片产品与 GW1NSR 系列产品具有相同的硬件组成单元，唯一的区别是在制造过程中，在 GW1NSER 系列安全芯片产品内部非易失性 User Flash 中提前存储了一次性编程（OTP）认证码。具有该认证码的器件可用于实现加密、解密、密钥/公钥生成、安全通信等应用。

高云半导体 GW1NRF 系列蓝牙 FPGA 产品是一款系统级封装芯片，是一款 SoC 芯片。器件以 32 位硬核微处理器为核心，支持蓝牙 5.0 低功耗射频功能，具有丰富的逻辑单元、内嵌 B-SRAM 和 DSP 资源，IO 资源丰富，系统内部有电源管理模块和安全加密模块。具有高性能、低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

器件	GW1N-1	GW1N-2	GW1N-4	GW1N-9	GW1N-1S	GW1N-1P5
逻辑单元(LUT)	1152	2304	4608	8640	1152	1584
寄存器(FF)	864	2016	3456	6480	864	1584
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	18432	0	17280	0	12672
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K	72K	72K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	4	4	10	26	4	4
用户闪存-bits	96K	256K	256K	608K	96K	256K
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20	0	0
锁相环(PLLs)	1	1	2	2	1	1
I/O Bank 总数	4	6^注2	4	4	3	6
最大GPIO数	120	125	218	276	44	125
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V注1	1.8V/2.5V/3.3V	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V	-	1.8V/2.5V/3.3V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
CS30	0.4	2.3x2.4	24	-	-	-	23	-
QN32	0.5	5x5	26	21(1)	24(3)	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	-	21(1)	-	-	-	-
FN32	0.4	4x4	-	-	-	-	25	-
CS42	0.4	2.4x2.9	-	24(7)	-	-	-	-
CS42H	0.4	2.4x2.9	-	36(3)	-	-	-	-
QN48	0.4	6x6	41	41(12)	40(9)	40(12)	-	-
QN48H	0.4	6x6	-	31(8)	-	-	-	-
QN48F	0.4	6x6	-	-	-	40(11)	-	-
QN48X	0.5	7x7	-	-	-	-	-	39(10)
QN48XF	0.5	7x7	-	-	-	-	-	40(11)
CM64	0.5	4.1x4.1	-	-	-	55(16)注 3	-	-
CS72	0.4	3.6x3.3	-	-	58(19)	-	-	-
CS81M	0.4	4.1x4.1	-	-	-	55(15)	-	-
QN88	0.4	10x10	-	58(17)	71(11)	71(19)	-	-
CS100H	0.4	4x4	-	88(27)	-	-	-	-
LQ100	0.5	14x14	80	80(15)	80(13)	80(20)	-	80(16)
LQ100X	0.5	14x14	-	80(15)	-	-	-	80(16)
LQ144	0.5	20x20	117	113(28)	120(22)	121(28)	-	-
LQ144X	0.5	20x20	-	113(28)	-	-	-	-
LQ144F	0.5	20x20	-	115(27)	-	-	-	-
EQ144	0.5	20x20	-	-	-	121(28)	-	-
MG49	0.5	3.8x3.8	-	42(11)	-	-	-	-
MG100	0.5	5x5	-	-	-	87(25)	-	-
MG100T	0.5	5x5	-	-	-	87(17)	-	-
MG121	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG121X	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG132	0.5	8x8	-	104(29)	-	-	-	-
MG132H	0.5	8x8	-	95(29)	-	-	-	-
MG132X	0.5	8x8	-	104(29)	105(23)	-	-	-
MG160	0.5	8x8	-	-	132(25)	132(38)	-	-
UG169	0.8	11x11	-	-	129(27)	129(38)	-	-
LQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
EQ176	0.4	20x20	-	-	-	148(37)	-	-
MG196	0.5	8x8	-	-	-	113(35)	-	-
PG256	1	17x17	-	-	208(32)	208(36)	-	-
PG256M	1	17x17	-	-	208(32)	-	-	-
UG256	0.8	14x14	-	-	-	207(36)	-	-
UG332	0.8	17x17	-	-	-	274(43)	-	-

注1：目前GW1N-1器件中仅LQ100X封装支持UV版本，封装兼容性请查阅数据手册。

注2：GW1N-2 CS42封装的IO Bank总数为7个。

注3：GW1N-9 MC64封装只支持LV版本不支持UV版本。

注4：GW1N-1 CS30和GW1N-1S CS30/FN32仅支持SSPI配置模式。

注5：对于 GW1N-2 器件，若其 MODE[2]的值固定为 1，则其加载频率只能是2.5MHz。

注6：对于GW1N-4/GW1N-9 UV版本器件，如果Vcc和Vccx在某封装中共用一个管脚，那么GW1N-4/GW1N-9的Vccx范围（2.5V~3.3V）会将Vcc范围限制为2.5V~3.3V，此时Vcc不支持1.8V。

注：JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为GPIO，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N始终为GPIO，此时可将JTAGSEL_N和JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO）同时用作GPIO。

器件	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
逻辑单元(LUT4)	2304	4608	8640
寄存器	2016	3456	6480
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	0	0	17280
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K	180K	468K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	4	10	26
用户闪存(bits)	96K	256K	608K
乘法器(18 x 18 Multiplier)	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	2	2
I/O Bank总数	6	4	4
最大GPIO数	125	218	276
核电压（LV版本）	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV版本）	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）	GW1N-9（车规级）
QN88	0.4	10 x 10	57（17）	70（11）	-
QN60	0.35	6 x 6	-	-	44（14）

注：JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为I/O，此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N管脚与JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO）可以同时设置为GPIO，此时最大用户I/O数加1。详细信息请参考GW1N系列FPGA产品(车规级)封装与管脚手册。

器件	GW1NR-1	GW1NR-2	GW1NR-4	GW1NR-9
逻辑单元(LUT)	1152	2304	4608	8640
寄存器(FF)	864	2304 (FF+Latch,其中FF：2016)	3456	6480
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	0	0	17280
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	4	4	10	26
用户闪存-bits	96K	96K	256K	608K
SDR SDRAM(bits)	-	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	64M(MG49P) 32M(MG49PG)	32M(QN88P)	64M(QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH(bits)	4M	4M (MG49G/MG49PG)	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
I/O Bank 总数	4	7	4	4
最大GPIO数	120	126	218	276
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	-	1.8V/2.5/3.3V	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封装	器件	Memory类型	容量	位宽
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49P	GW1NR-2	PSRAM	64M	16 bits
MG49G	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49PG	GW1NR-2	PSRAM	32M	8 bits
MG49PG	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NR-1	GW1NR-2	GW1NR-4	GW1NR-9
QN88	0.4	10x10	-	-	70(11)	70(19)
QN88P	0.4	10x10	-	-	70(11)	70(17)
MG49P	0.5	3.8x3.8	-	30(8)	-	-
MG49PG	0.5	3.8x3.8	-	30(8)	-	-
MG49G	0.5	3.8x3.8	-	30(8)	-	-
MG81P	0.5	4.5x4.5	-	-	68(10)	-
MG100P	0.5	5x5	-	-	-	87(16)
MG100PF	0.5	5x5	-	-	-	87(16)
MG100PA	0.5	5x5	-	-	-	87(17)
MG100PT	0.5	5x5	-	-	-	87(17)
MG100PS	0.5	5x5	-	-	-	87(17)
LQ144P	0.5	20x20	-	-	-	120(20)
EQ144G	0.5	20x20	112	-	-	-
FN32G	0.4	4x4	26	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	22	-	-	-
QN48X	0.5	7x7	39	-	-	-
LQ100G	0.5	14x14	79	-	-	-

器件	GW1NS-4	GW1NS-4C
逻辑单元(LUT4)	4608	4608
寄存器(FF)	3456	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存-bits	256K	256K
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度±5%	1，精度±5%
硬核处理器	-	Cortex-M3
USB PHY	-	-
ADC	-	-
I/O Bank 总数	4	4
最大GPIO数	106	106
核电压	1.2V	1.2V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NS-4	GW1NS-4C
CS49	0.4	2.9x2.9	42(8)	42(8)
QN48	0.4	6x6	38(4)	38(4)
MG64	0.5	4.2x4.2	57(8)	57(8)
QN32	0.5	5x5	-	23(1)

注：封装前带“C”的器件内嵌硬核处理器，封装前不带“C”的器件不支持硬核处理器。
JTAGSEL_N 和 JTAG 管脚是互斥管脚，如果 JTAGSEL_N 管脚封装出来，最大GPIO数数量减 1 个。

器件	GW1NZ-1	GW1NZ-2
逻辑单元(LUT4)	1152	2304
寄存器(FF)	864	2016
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	4608	18432
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K
锁相环(PLLs)	1	1
用户闪存-bits	64K	96K
最大GPIO数	48	125
核电压(LV版本)	1.2V	-
核电压(ZV版本)	0.9V	0.9V/1.0V/1.1V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NZ-1	GW1NZ-2
FN32	0.4	4x4	25	-
FN32F	0.4	4x4	25	-
CS16	0.4	1.8x1.8	11	-
QN48	0.4	6x6	41	41(12)
CS100H	0.4	4x4	-	88(27)

器件	GW1NZ-1(车规级)
逻辑单元(LUT4)	1152
寄存器	864
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	4K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K
锁相环(PLLs)	1
用户闪存(bits)	64K
最大GPIO数	48
核电压（LV版本）	1.2V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NZ-1(车规级)
QN48	0.4	6 x 6	39

器件	GW1NSR-4	GW1NSR-4C
逻辑单元(LUT4)	4608	4608
寄存器(FF)	3456	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存-bits	256K	256K
PSRAM(bits)	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	64M
NOR FLASH(bits)	-	32M
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度±5%	1，精度±5%
硬核处理器	-	Cortex-M3
I/O Bank 总数	4	4
最大GPIO数	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR-4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR-4C	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
GW1NSR-4C	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NSR-4	GW1NSR-4C
QFN48P	0.4	6x6	-	39(4)
MG64P	0.5	4.2x4.2	55(8)	55(8)
QFN48G	0.4	6x6	-	39(4)

器件	GW1NSE-4C
逻辑单元(LUT4)	4608
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	10
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0
用户闪存(bits)	256
18X18乘法器	16
锁相环(PLLs)	2
OSC	1,+/-5% accuracy
硬核处理器	Cortex-M3
I/O Banks	3
核电压	1.2V
最大GPIO数	106

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NSE-4C
QN48	0.4	6x6	-
LQ144	0.5	20x20	-

器件	GW1NSER-4C
逻辑单元(LUT)	4608
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10
用户闪存-bits	256K
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH(bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
锁相环(PLLs)	2
I/O Bank 总数	4
最大GPIO数	106
OSC	1，精度±5%
硬核处理器	Cortex-M3
核电压	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSER-4C	QN48P	HyperRAM	64Mb	8 bits
GW1NSER-4C	QN48G	NOR Flash	32Mb	1 bit

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NSER-4C
QN48P	0.4	6x6	38(4)
QN48G	0.4	6x6	38(4)

器件	GW1NRF-4B
逻辑单元(LUT4)	4606
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM（个）	10
用户闪存-bits	256K
18X18乘法器	16
PLLs	2
I/O Bank总数	4
最大GPIO数	25
硬核处理器	ARC EM4
内存模块	136KB ROM 48KB IRAM 28KB DRAM 128KB OTP
射频模块	蓝牙 5.0 低功耗
安全加密模块	AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器
低功耗模块	电源管理模块 DCDC 转换器
核电压（LV）	1.2V
核电压（UV）	1.8V/2.5V/3.3V