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    高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品, 内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。


    高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体晨熙®家族第一代产品,内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm工艺使GW2A系列FPGA产品(车规级)适用于高速低成本的应用场合。


    高云半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装芯片,在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片,同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。


    高云半导体 GW2AN 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品,内部资源丰富,高速 LVDS 接口以及丰富的BSRAM 存储器资源、NOR Flash 资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA架构以及 55nm 工艺使 GW2AN 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。


    高云半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品,在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片,同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。

    产品参数


    器件

    GW2A-18

    GW2A-55

    逻辑单元(LUT4)

    20736

    54720

    寄存器(FF)

    15552

    41040

    分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    41472

    109440

    块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    828K

    2,520K

    块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    46

    140

    乘法器(18x18 Multiplier)

    48

    40

    锁相环(PLLs)

    4

    6

    I/O Bank 总数

    8

    8

    最多用户 I/O

    384

    608

    核电压

    1.0V

    1.0V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2A-18

    GW2A-55

    QN88:QFN

    0.4

    10x10

    6.74x6.74

    66(22)

    -

    LQ144:LQFP

    0.5

    20x20

    -

    119(34)

    -

    EQ144:LQFP

    0.5

    20x20

    9.74x9.74

    119(34)

    -

    MG196:MBGA

    0.5

    8x8

    -

    114(39)

    -

    PG256:PBGA

    1

    17x17

    -

    207(73)

    -

    PG256S:PBGA

    1

    17x17

    -

    192(72)

    -

    PG256C:PBGA

    1

    17x17

    -

    190(64)

    -

    PG256E:PBGA

    1

    17x17

    -

    162(29)

    -

    PG484:PBGA

    1

    23x23

    -

    319(78)

    319(76)

    PG1156:PBGA

    1

    35x35

    -

    -

    607(96)

    UG324:UBGA

    0.8

    15x15

    -

    239(90)

    240(86)

    UG324D:UBGA

    0.8

    15x15

    -

    -

    240(71)

    UG676:UBGA

    0.8

    21x21

    -

    -

    525(97)




    器件

    GW2A-18(车规级)

    GW2A-55(车规级)

    逻辑单元(LUT4)

    20736

    54720

    寄存器(FF)

    15552

    41040

    分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)

    41472

    109440

    块状静态随机存储器 BSRAM(bits)

    828K

    2,520K

    块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)

    46

    140

    乘法器(18x18 Multiplier)

    48

    40

    最多锁相环(PLLs)[1]

    4

    6

    I/O Bank总数

    8

    8

    最大I/O数

    384

    608

    核电压

    1.0V

    1.0V

    封装

    器件

    可用的PLL

    QN88

    GW2A-18(车规级)

    PLLL1/PLLR1

    PG256

    GW2A-18(车规级)

    PLLL/PLLR

    PG484

    GW2A-18(车规级)

    PLLL/PLLR

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2A-18(车规级)

    GW2A-55(车规级)

    QN88

    0.4

    10 x10

    6.74 x 6.74

    66(22)

    PG256

    1

    17 x 17

    207(73)

    PG484

    1

    23 x 23

    319(78)

    319(76)

    注:[1] 不同封装支持的锁相环数量不同,最多支持6个锁相环。




    器件

    GW2AR-18

    逻辑单元(LUT4)

    20736

    寄存器(FF)

    15552

    分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    41472

    块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    828K

    块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    46

    SDR/DDR SDRAM(bits)

    64M/128M

    PSRAM(bits)

    64M

    乘法器(18X18 Multiplier)

    48

    锁相环(PLLs)

    4

    I/O Bank总数

    8

    最多用户I/O

    384

    核电压

    1.0V

    封装

    器件

    Memory类型

    位宽

    容量

    可用PLL

    LQ144[1]

    GW2AR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1

    EQ144[1]

    GW2AR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1

    EQ144P[1][2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    EQ144PF[1][2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    QN88

    GW2AR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL1/PLLR1

    QN88P[2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    QN88PF[2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    LQ176

    GW2AR-18

    DDR SDRAM

    16 bits

    128M bits

    PLLL1/PLLR0/PLLR1

    EQ176

    GW2AR-18

    DDR SDRAM

    16 bits

    128M bits

    PLLL1/PLLR0/PLLR1

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2AR-18

    LQ144[1]

    0.5

    20X20

    -

    120(35)

    EQ144[1]

    0.5

    20x20

    9.74 X 9.74

    120(35)

    EQ144P[1][2]

    0.5

    20x20

    9.74 X 9.74

    120(35)

    EQ144PF[1][2]

    0.5

    20x20

    9.74 X 9.74

    120(35)

    QN88

    0.4

    10X10

    6.74 X 6.74

    66(22)

    QN88P[2]

    0.4

    10X10

    6.74 X 6.74

    66(22)

    QN88PF[2]

    0.4

    10X10

    6.74 X 6.74

    66(22)

    LQ176

    0.4

    20x20

    -

    140(45)

    EQ176

    0.4

    20x20

    6 X 6

    140(45)

    注:[1] LQ144封装和EQ144 / EQ144P/EQ144PF封装的VCCPLLL1与VCC内部短接在一起,详细信息请参考封装手册。
    [2] 'P'表示PSRAM;'F'表示与QN88P/EQ144P相比,QN88PF/EQ144PF调整了部分管脚




    器件

    GW2AN-4X

    GW2AN-9X

    GW2AN-18X

    逻辑单元(LUT4)

    4608

    10368

    20736

    寄存器/锁存器(Registers/Latches)

    3456

    7776

    15552

    分布式静态随机存储器 BSRAM(bits)

    36864

    41472

    41472

    块状静态随机存储器 BSRAM(bits)

    108K

    450K

    540K

    块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)

    6

    25

    30

    NOR Flash

    16M bit

    16M bit

    16M bit

    最多锁相环(PLLs)

    2

    2

    2

    Global Clock

    8

    8

    8

    High Speed Clock

    8

    8

    8

    LVDS (Mb/s)

    1250

    1250

    1250

    MIPI (Mb/s)

    1200

    1200

    1200

    I/O Bank总数

    9

    9

    9

    最大I/O数

    TBD

    TBD

    384

    核电压(EV版本)

    1.0V

    1.0V

    1.0V

    核电压(LV版本)

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    核电压(UV版本)

    2.5V/3.3V

    2.5V/3.3V

    2.5V/3.3V

    封装

    器件

    可用的PLL

    PG256

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG256

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG324

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG332

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG400

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG484

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2AN-4X

    GW2AN-9X

    GW2AN-18X

    UG484

    0.8

    19 x 19

    TBD

    TBD

    393(96)

    UG400

    0.8

    17 x 17

    TBD

    TBD

    335(95)

    UG256

    0.8

    14 x 14

    TBD

    TBD

    207(86)

    PG256

    1

    17 x 17

    TBD

    TBD

    207(86)

    UG332

    0.8

    17 x 17

    TBD

    TBD

    279(82)

    UG324

    0.8

    15 x 15

    TBD

    TBD

    279(74)

    PG484

    1

    23 x 23

    TBD

    TBD

    381(96)

    注:文档中GW2AN系列FPGA产品封装命名采用缩写的方式,请参考5.1器件命名;
    JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚,JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚(TCK、TDI、TDO、TMS)不可同时复用为I/O,此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况。详细信息请参考GW2AN系列FPGA产品封装与管脚手册。




    器件

    GW2AN-55

    逻辑单元(LUT4)

    54720

    寄存器(FF)

    41040

    分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    109440

    块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    2,520K

    块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    140

    NOR FLASH(bits)

    32M

    乘法器(18X18 Multiplier)

    40

    最多锁相环(PLLs)

    6

    I/O Bank总数

    8

    最多用户I/O

    608

    核电压

    1.0V

    封装

    器件

    可用PLL

    UG676

    GW2AN-55

    PLLL/PLLR




    器件

    GW2ANR-18

    逻辑单元(LUT4)

    20736

    寄存器(FF)

    15552

    分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    41472

    块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    828K

    块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    46

    NOR FLASH(bits)

    32M

    SDR SDRAM(bits)

    64M

    乘法器(18X18 Multiplier)

    48

    最多锁相环(PLLs)

    4

    I/O Bank总数

    8

    最多用户I/O

    384

    核电压

    1.0V

    封装

    器件

    Memory类型

    位宽

    容量

    可用PLL

    QN88

    GW2ANR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL1/PLLR1

    NOR FLASH

    1 bit

    32M bits

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2ANR-18

    QN88

    0.4

    10x10

    6.74x6.74

    66(22)





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