产品系列 - 高云 - 半导体 - 广东高云半导体科技股份有限公司

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特性

高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，内部资源丰富，具有高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm工艺使GW2A系列FPGA产品(车规级)适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代产品，是一款系统级封装芯片，在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片，同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2AN 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品，内部资源丰富，高速 LVDS 接口以及丰富的BSRAM 存储器资源、NOR Flash 资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA架构以及 55nm 工艺使 GW2AN 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。

高云半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是高云半导体晨熙^®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品，是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品，在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片，同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源，高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源，这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。

产品参数

器件	GW2A-18	GW2A-55
逻辑单元(LUT4)	20,736	54,720
寄存器(FF)	15,552	41,040
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	40K	106K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	828K	2,520K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	46	140
乘法器(18x18 Multiplier)	48	40
锁相环(PLLs)	4	6
I/O Bank 总数	8	8
最大GPIO数	384	608
核电压	1.0V	1.0V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2A-18	GW2A-55
QN88	0.4	10x10	6.74x6.74	66(22)	-
LQ144	0.5	20x20	-	119(34)	-
EQ144	0.5	20x20	9.74x9.74	119(34)	-
MG196	0.5	8x8	-	114(39)	-
PG256	1.0	17x17	-	207(73)	-
PG256S	1.0	17x17	-	192(72)	-
PG256SF	1.0	17x17	-	192(71)	-
PG256C	1.0	17x17	-	190(64)	-
PG256CF	1.0	17x17	-	190(65)	-
PG256E	1.0	17x17	-	162(29)	-
PG484	1.0	23x23	-	319(78)	319(76)
PG1156	1.0	35x35	-	-	607(96)
UG324	0.8	15x15	-	239(90)	239(86)
UG324F	0.8	15x15	-	-	239(86)
UG324D	0.8	15x15	-	-	239(71)
UG484	0.8	19x19	-	379(94)	-
UG484S	0.8	19x19	-	-	344(91)
UG676	0.8	21x21	-	-	525(97)

器件	GW2A-18(车规级)	GW2A-55(车规级)
逻辑单元(LUT4)	20736	54720
寄存器(FF)	15552	41040
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	40K	106K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	828K	2,520K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)	46	140
乘法器(18x18 Multiplier)	48	40
最多锁相环(PLLs)^[1]	4	6
I/O Bank总数	8	8
最大GPIO数	384	608
核电压	1.0V	1.0V

封装	器件	可用的PLL
QN88	GW2A-18(车规级)	PLLL1/PLLR1
PG256	GW2A-18(车规级)	PLLL/PLLR

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2A-18(车规级)	GW2A-55(车规级)
QN88	0.4	10 x10	6.74 x 6.74	66（22）	–
PG256	1	17 x 17	–	207（73）	–

注：[1] 不同封装支持的锁相环数量不同，最多支持6个锁相环。

器件	GW2AR-18
逻辑单元(LUT4)	20,736
寄存器(FF)	15,552
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	40K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	828K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	46
SDR/DDR SDRAM(bits)	64M/128M
PSRAM(bits)	64M
乘法器(18X18 Multiplier)	48
锁相环(PLLs)	4
I/O Bank总数	8
最大GPIO数	384
核电压	1.0V

封装	器件	Memory类型	位宽	容量	可用PLL
LQ144^[1]	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits	PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1
EQ144^[1]	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits
EQ144P^[1][2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
EQ144PF^[1][2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
QN88	GW2AR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits	PLLL1/PLLR1
QN88P^[2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
QN88PF^[2]	GW2AR-18	PSRAM	16 bits	64M bits
LQ176	GW2AR-18	DDR SDRAM	16 bits	128M bits	PLLL1/PLLR0/PLLR1
EQ176	GW2AR-18	DDR SDRAM	16 bits	128M bits	PLLL1/PLLR0/PLLR1

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2AR-18
LQ144	0.5	20x20	-	120(35)
EQ144	0.5	20x20	9.74 x 9.74	120(35)
EQ144P	0.5	20x20	9.74 x 9.74	120(35)
EQ144PF	0.5	20x20	9.74 x 9.74	120(35)
QN88	0.4	10x 10	6.74 x 6.74	66(22)
QN88P	0.4	10x 10	6.74 x 6.74	66(22)
QN88PF	0.4	10x 10	6.74 x 6.74	66(22)
LQ176	0.4	20x20	-	140(45)
EQ176	0.4	20x20	6x6	140(45)

注：[1] LQ144封装和EQ144 / EQ144P/EQ144PF封装的V_CCPLLL1与V_CC内部短接在一起，详细信息请参考封装手册。

[2] 'P'表示PSRAM；'F'表示与QN88P/EQ144P相比，QN88PF/EQ144PF调整了部分管脚

器件	GW2ANR-18
逻辑单元(LUT4)	20,736
寄存器(FF)	15,552
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	40K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	828K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	46
NOR FLASH(bits)	32M
SDR SDRAM(bits)	64M
乘法器(18X18 Multiplier)	48
最多锁相环(PLLs)	4
I/O Bank总数	8
最大GPIO数	384
核电压	1.0V

封装	器件	Memory类型	位宽	容量	可用PLL
QN88	GW2ANR-18	SDR SDRAM	32 bits	64M bits	PLLL1/PLLR1
QN88	GW2ANR-18	NOR FLASH	1 bit	32M bits	PLLL1/PLLR1

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2ANR-18
QN88:QFN	0.4	10x10	6.74x6.74	66(22)

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2ANR-18
UG676	0.8	21x21	-	525(97)

器件	GW2AN-9X	GW2AN-18X
逻辑单元(LUT4)	10368	20736
寄存器/锁存器(Registers/Latches)	7776	15552
分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)	40K	40K
块状静态随机存储器 BSRAM(bits)	540K	540K
块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)	30	30
NOR Flash	16M bit	16M bit
最多锁相环(PLLs)	2	2
Global Clock	8	8
High Speed Clock	8	8
LVDS (Mb/s)	1250	1250
MIPI (Mb/s)	1200	1200
I/O Bank总数	9	9
最大GPIO数	389	389
核电压（LV版本）	1.0V	1.0V
核电压（EV版本）	1.2V	1.2V
核电压（UV版本）	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V

封装	器件	可用的PLL
PG256	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG256	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG324	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG332	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG400	GW2AN-18X	PLLL/PLLR
UG484	GW2AN-18X	PLLL/PLLR

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	E-pad尺寸(mm)	GW2AN-9X	GW2AN-18X
UG484	0.8	19 x 19		383(96)	393（96）
UG400	0.8	17 x 17	–	335(95)	335（95）
UG256	0.8	14 x 14		207(86)	207（86）
PG256	1	17 x 17	–	207(86)	207（86）
UG332	0.8	17 x 17	–	-	279（82）
UG324	0.8	15 x 15		279(74)	279（74）
PG484	1	23 x 23		-	381（96）

注：文档中GW2AN系列FPGA产品封装命名采用缩写的方式，请参考5.1器件命名；
JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为I/O，此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况。详细信息请参考GW2AN系列FPGA产品封装与管脚手册。

器件	GW2AN-55
逻辑单元(LUT4)	54,720
寄存器(FF)	41,040
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	106K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	2,520K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	140
NOR FLASH(bits)	32M
乘法器(18X18 Multiplier)	40
最多锁相环(PLLs)	6
I/O Bank总数	8
最大GPIO数	608
核电压	1.0V